BSC018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
Onderdeel nummer
BSC018NE2LSIATMA1
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerTDFN
Apparaatpakket van leverancier
PG-TDSON-8
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
25V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2500pF @ 12V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 12973 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanBSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSIATMA1 Elektronische componenten
BSC018NE2LSIATMA1 verkoop
BSC018NE2LSIATMA1 Leverancier
BSC018NE2LSIATMA1 Distributeur
BSC018NE2LSIATMA1 Data tafel
BSC018NE2LSIATMA1 Foto's
BSC018NE2LSIATMA1 Prijs
BSC018NE2LSIATMA1 Aanbod
BSC018NE2LSIATMA1 Laagste prijs
BSC018NE2LSIATMA1 Zoekopdracht
BSC018NE2LSIATMA1 Inkoop
BSC018NE2LSIATMA1 Chip