Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
BSB012N03LX3 G

BSB012N03LX3 G

MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Onderdeel nummer
BSB012N03LX3 G
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
3-WDSON
Apparaatpakket van leverancier
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vermogensdissipatie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
169nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
16900pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 14868 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanBSB012N03LX3 G
BSB012N03LX3 G Elektronische componenten
BSB012N03LX3 G verkoop
BSB012N03LX3 G Leverancier
BSB012N03LX3 G Distributeur
BSB012N03LX3 G Data tafel
BSB012N03LX3 G Foto's
BSB012N03LX3 G Prijs
BSB012N03LX3 G Aanbod
BSB012N03LX3 G Laagste prijs
BSB012N03LX3 G Zoekopdracht
BSB012N03LX3 G Inkoop
BSB012N03LX3 G Chip